FET　

ヒット検索結果：77206件 / 型名：指定なし / ステイタス：すべて / 数量：0PCS~ / メーカー：すべて / シリーズ：すべて

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在庫ロケーション	型名メーカー名	情報コアスタッフ型名	ECADモデル	FETタイプ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力散逸（最大）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	使用温度範囲	用途	デバイスパッケージ	技術
他社在庫	SIHU6N80E-GE3 N/A	Nチャンネル 800 V 5.4A（Tc） 78W（Tc）スルーホール IPAK（TO-251）梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHU6N80E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	800 V	10V	5.4A（Tc）	827 pF @ 100 V	78W（Tc）	940ミリオーム @ 3A、10V	4V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	スルーホール	IPAK（TO-251）
他社在庫	SIHU7N60E-E3 N/A	Nチャンネル 600 V 7A（Tc） 78W（Tc）スルーホール TO-251AA 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHU7N60E-E3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	10V	7A（Tc）	680 pF @ 100 V	78W（Tc）	600ミリオーム @ 3.5A、10V	4V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	スルーホール	TO-251AA
他社在庫	SIHU7N60E-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 7A（Tc） 78W（Tc）スルーホール TO-251AA 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-742-SIHU7N60E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	10V	7A（Tc）	680 pF @ 100 V	78W（Tc）	600ミリオーム @ 3.5A、10V	4V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	スルーホール	TO-251AA
他社在庫	SIHW21N80AE-GE3 N/A	Nチャンネル 800 V 17.4A（Tc） 32W（Tc）スルーホール TO-247AD 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHW21N80AE-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	800 V	10V	17.4A（Tc）	1388 pF @ 100 V	32W（Tc）	235ミリオーム @ 11A、10V	4V @ 250µA	72 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	スルーホール	TO-247AD
他社在庫	SIHW30N60E-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 29A（Tc） 250W（Tc）スルーホール TO-247AD 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHW30N60E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	10V	29A（Tc）	2600 pF @ 100 V	250W（Tc）	125ミリオーム @ 15A、10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	スルーホール	TO-247AD
他社在庫	SIHW33N60E-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 33A（Tc） 278W（Tc）スルーホール TO-247AD 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHW33N60E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	10V	33A（Tc）	3508 pF @ 100 V	278W（Tc）	99ミリオーム @ 16.5A、10V	4V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	スルーホール	TO-247AD
他社在庫	SIHW47N60E-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 47A（Tc） 357W（Tc）スルーホール TO-247AD 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHW47N60E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	10V	47A（Tc）	9620 pF @ 100 V	357W（Tc）	64ミリオーム @ 24A、10V	4V @ 250µA	220 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	スルーホール	TO-247AD
他社在庫	SIHW47N60EF-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 47A（Tc） 379W（Tc）スルーホール TO-247AD 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHW47N60EF-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	10V	47A（Tc）	4854 pF @ 100 V	379W（Tc）	65ミリオーム @ 24A、10V	4V @ 250µA	225 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	スルーホール	TO-247AD
他社在庫	SIHW61N65EF-GE3 N/A	Nチャンネル 650 V 64A（Tc） 520W（Tc）スルーホール TO-247AD 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHW61N65EF-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	650 V	10V	64A（Tc）	7407 pF @ 100 V	520W（Tc）	47ミリオーム @ 30.5A、10V	4V @ 250µA	371 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	スルーホール	TO-247AD
他社在庫	SIHW70N60EF-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 70A（Tc） 520W（Tc）スルーホール TO-247AD 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHW70N60EF-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	10V	70A（Tc）	7500 pF @ 100 V	520W（Tc）	38ミリオーム @ 35A、10V	4V @ 250µA	380 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	スルーホール	TO-247AD
他社在庫	SIHW73N60E-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 73A（Tc） 520W（Tc）スルーホール TO-247AD 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHW73N60E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	600 V	10V	73A（Tc）	7700 pF @ 100 V	520W（Tc）	39ミリオーム @ 36A、10V	4V @ 250µA	362 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	スルーホール	TO-247AD
他社在庫	SIJ128LDP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 80 V 10.2A（Ta）、25.5A（Tc） 3.6W（Ta）、22.3W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ128LDP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	4.5V、10V	10.2A（Ta）、25.5A（Tc）	1250 pF @ 40 V	3.6W（Ta）、22.3W（Tc）	15.6ミリオーム @ 10A、10V	2.5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ128LDP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 80 V 10.2A（Ta）、25.5A（Tc） 3.6W（Ta）、22.3W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ128LDP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	4.5V、10V	10.2A（Ta）、25.5A（Tc）	1250 pF @ 40 V	3.6W（Ta）、22.3W（Tc）	15.6ミリオーム @ 10A、10V	2.5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ150DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 45 V 30.9A（Ta）、110A（Tc） 5.2W（Ta）、65.7W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ150DP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	45 V	4.5V、10V	30.9A（Ta）、110A（Tc）	4000 pF @ 20 V	5.2W（Ta）、65.7W（Tc）	2.83ミリオーム @ 15A、10V	2.3V @ 250µA	70 nC @ 10 V	+20V、-16V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ150DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 45 V 30.9A（Ta）、110A（Tc） 5.2W（Ta）、65.7W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ150DP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	45 V	4.5V、10V	30.9A（Ta）、110A（Tc）	4000 pF @ 20 V	5.2W（Ta）、65.7W（Tc）	2.83ミリオーム @ 15A、10V	2.3V @ 250µA	70 nC @ 10 V	+20V、-16V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ186DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 60 V 23A（Ta）、79.4A（Tc） 5W（Ta）、57W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ186DP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	6V、10V	23A（Ta）、79.4A（Tc）	1710 pF @ 30 V	5W（Ta）、57W（Tc）	4.5ミリオーム @ 15A、10V	3.6V @ 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ186DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 60 V 23A（Ta）、79.4A（Tc） 5W（Ta）、57W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ186DP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	6V、10V	23A（Ta）、79.4A（Tc）	1710 pF @ 30 V	5W（Ta）、57W（Tc）	4.5ミリオーム @ 15A、10V	3.6V @ 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ188DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 60 V 25.5A（Ta）、92.4A（Tc） 5W（Ta）、65.7W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ188DP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	7.5V、10V	25.5A（Ta）、92.4A（Tc）	1920 pF @ 30 V	5W（Ta）、65.7W（Tc）	3.85ミリオーム @ 10A、10V	3.6V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ188DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 60 V 25.5A（Ta）、92.4A（Tc） 5W（Ta）、65.7W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ188DP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	7.5V、10V	25.5A（Ta）、92.4A（Tc）	1920 pF @ 30 V	5W（Ta）、65.7W（Tc）	3.85ミリオーム @ 10A、10V	3.6V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ4106DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 100 V 15.8A（Ta）、59A（Tc） 5W（Ta）、69.4W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ4106DP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	7.5V、10V	15.8A（Ta）、59A（Tc）	3610 pF @ 50 V	5W（Ta）、69.4W（Tc）	8.3ミリオーム @ 15A、10V	3.8V @ 250µA	64 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ4106DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 100 V 15.8A（Ta）、59A（Tc） 5W（Ta）、69.4W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ4106DP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	7.5V、10V	15.8A（Ta）、59A（Tc）	3610 pF @ 50 V	5W（Ta）、69.4W（Tc）	8.3ミリオーム @ 15A、10V	3.8V @ 250µA	64 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ4108DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 100 V 15.2A（Ta）、56.7A（Tc） 5W（Ta）、69.4W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ4108DP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	7.5V、10V	15.2A（Ta）、56.7A（Tc）	2440 pF @ 50 V	5W（Ta）、69.4W（Tc）	52ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	52 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ4108DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 100 V 15.2A（Ta）、56.7A（Tc） 5W（Ta）、69.4W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ4108DP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	7.5V、10V	15.2A（Ta）、56.7A（Tc）	2440 pF @ 50 V	5W（Ta）、69.4W（Tc）	52ミリオーム @ 10A、10V	4V @ 250µA	52 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ438ADP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 40 V 45.3A（Ta）、169A（Tc） 5W（Ta）、69.4W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ438ADP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	4.5V、10V	45.3A（Ta）、169A（Tc）	7800 pF @ 20 V	5W（Ta）、69.4W（Tc）	1.35ミリオーム @ 20A、 10V	2.4V @ 250µA	162 nC @ 10 V	+20V、-16V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ438ADP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 40 V 45.3A（Ta）、169A（Tc） 5W（Ta）、69.4W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ438ADP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	4.5V、10V	45.3A（Ta）、169A（Tc）	7800 pF @ 20 V	5W（Ta）、69.4W（Tc）	1.35ミリオーム @ 20A、 10V	2.4V @ 250µA	162 nC @ 10 V	+20V、-16V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ438DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 40 V 80A（Tc） 69.4W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ438DP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	4.5V、10V	80A（Tc）	9400 pF @ 20 V	69.4W（Tc）	1.35ミリオーム @ 20A、 10V	2.4V @ 250µA	182 nC @ 10 V	+20V、-16V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ438DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 40 V 80A（Tc） 69.4W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ438DP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40 V	4.5V、10V	80A（Tc）	9400 pF @ 20 V	69.4W（Tc）	1.35ミリオーム @ 20A、 10V	2.4V @ 250µA	182 nC @ 10 V	+20V、-16V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ450DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 45 V 36A（Ta）、113A（Tc） 4.8W（Ta）、 48W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ450DP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	45 V	4.5V、10V	36A（Ta）、113A（Tc）	5920 pF @ 20 V	4.8W（Ta）、 48W（Tc）	1.9ミリオーム @ 10A、10V	2.3V @ 250µA	114 nC @ 10 V	+20V、-16V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ450DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 45 V 36A（Ta）、113A（Tc） 4.8W（Ta）、 48W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ450DP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	45 V	4.5V、10V	36A（Ta）、113A（Tc）	5920 pF @ 20 V	4.8W（Ta）、 48W（Tc）	1.9ミリオーム @ 10A、10V	2.3V @ 250µA	114 nC @ 10 V	+20V、-16V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ462ADP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 60 V 15.8A（Ta）、39.3A（Tc） 3.6W（Ta）、22.3W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ462ADP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	4.5V、10V	15.8A（Ta）、39.3A（Tc）	1235 pF @ 30 V	3.6W（Ta）、22.3W（Tc）	7.2ミリオーム @ 10A、10V	2.5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ462ADP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 60 V 15.8A（Ta）、39.3A（Tc） 3.6W（Ta）、22.3W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ462ADP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V	4.5V、10V	15.8A（Ta）、39.3A（Tc）	1235 pF @ 30 V	3.6W（Ta）、22.3W（Tc）	7.2ミリオーム @ 10A、10V	2.5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ462DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 60 V 46.5A（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ462DP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60 V		46.5A（Tc）	1400 pF @ 30 V		8ミリオーム @ 20A、10V	2.5V @ 250µA	32 nC @ 10 V			面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ470DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 100 V 58.8A（Tc） 5W（Ta）、56.8W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ470DP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	7.5V、10V	58.8A（Tc）	2050 pF @ 50 V	5W（Ta）、56.8W（Tc）	9.1ミリオーム @ 20A、10V	3.5V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ470DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 100 V 58.8A（Tc） 5W（Ta）、56.8W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ470DP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100 V	7.5V、10V	58.8A（Tc）	2050 pF @ 50 V	5W（Ta）、56.8W（Tc）	9.1ミリオーム @ 20A、10V	3.5V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ478DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 80 V 60A（Tc） 5W（Ta）、62.5W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ478DP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	4.5V、10V	60A（Tc）	1855 pF @ 40 V	5W（Ta）、62.5W（Tc）	8ミリオーム @ 20A、10V	2.6V @ 250µA	54 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ478DP-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 80 V 60A（Tc） 5W（Ta）、62.5W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIJ478DP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	4.5V、10V	60A（Tc）	1855 pF @ 40 V	5W（Ta）、62.5W（Tc）	8ミリオーム @ 20A、10V	2.6V @ 250µA	54 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ4819DP-T1-GE3 N/A	Pチャンネル 80 V 11.5A（Ta）、44.4A（Tc） 5W（Ta）、73.5W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	4.5V、10V	11.5A（Ta）、44.4A（Tc）	3420 pF @ 40 V	5W（Ta）、73.5W（Tc）	20.7ミリオーム @ 10A、10V	2.6V @ 250µA	65 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8
他社在庫	SIJ4819DP-T1-GE3 N/A	Pチャンネル 80 V 11.5A（Ta）、44.4A（Tc） 5W（Ta）、73.5W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIJ4819DP-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Pチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	80 V	4.5V、10V	11.5A（Ta）、44.4A（Tc）	3420 pF @ 40 V	5W（Ta）、73.5W（Tc）	20.7ミリオーム @ 10A、10V	2.6V @ 250µA	65 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	PowerPAK® SO-8

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FET

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