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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI7178DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7178DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 60A(Tc) 2870 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 4.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8
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SI7178DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7178DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 60A(Tc) 2870 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 4.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8
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SI7190ADP-T1-RE3

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Nチャンネル 250 V 4.3A(Ta)、14.4A(Tc) 5W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7190ADP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 7.5V、10V 4.3A(Ta)、14.4A(Tc) 860 pF @ 100 V 5W(Ta)、56.8W(Tc) 102ミリオーム @ 4.3A、10V 4V @ 250µA 22.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8
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SI7190ADP-T1-RE3

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Nチャンネル 250 V 4.3A(Ta)、14.4A(Tc) 5W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7190ADP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 7.5V、10V 4.3A(Ta)、14.4A(Tc) 860 pF @ 100 V 5W(Ta)、56.8W(Tc) 102ミリオーム @ 4.3A、10V 4V @ 250µA 22.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8
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SI7190DP-T1-GE3

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Nチャンネル 250 V 18.4A(Tc) 5.4W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7190DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 6V、10V 18.4A(Tc) 2214 pF @ 125 V 5.4W(Ta)、96W(Tc) 118ミリオーム @ 4.4A、10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8
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SI7190DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 250 V 18.4A(Tc) 5.4W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7190DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 6V、10V 18.4A(Tc) 2214 pF @ 125 V 5.4W(Ta)、96W(Tc) 118ミリオーム @ 4.4A、10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8
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SI7192DP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7192DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5800 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.9ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8
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SI7192DP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7192DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5800 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.9ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8
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SI7212DN-T1-E3

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MOSFET - アレイ 30V 4.9A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7212DN-T1-E3TR-ND@0

30V 4.9A - 1.3W 36ミリオーム @ 6.8A、10V 1.6V @ 250µA 11nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7212DN-T1-E3

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MOSFET - アレイ 30V 4.9A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7212DN-T1-E3CT-ND@0

30V 4.9A - 1.3W 36ミリオーム @ 6.8A、10V 1.6V @ 250µA 11nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7212DN-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 30V 4.9A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7212DN-T1-GE3TR-ND@0

30V 4.9A - 1.3W 36ミリオーム @ 6.8A、10V 1.6V @ 250µA 11nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7212DN-T1-GE3

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 4.9A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7212DN-T1-GE3CT-ND@0

30V 4.9A - 1.3W 36ミリオーム @ 6.8A、10V 1.6V @ 250µA 11nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7216DN-T1-E3

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MOSFET - アレイ 40V 6A 20.8W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7216DN-T1-E3TR-ND@0

40V 6A 670pF @ 20V 20.8W 32ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 19nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -50°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7216DN-T1-E3

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MOSFET - アレイ 40V 6A 20.8W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7216DN-T1-E3CT-ND@0

40V 6A 670pF @ 20V 20.8W 32ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 19nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -50°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7216DN-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 40V 6A 20.8W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7216DN-T1-GE3TR-ND@0

40V 6A 670pF @ 20V 20.8W 32ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 19nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -50°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7216DN-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 40V 6A 20.8W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7216DN-T1-GE3CT-ND@0

40V 6A 670pF @ 20V 20.8W 32ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 19nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -50°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7220DN-T1-E3

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MOSFET - アレイ 60V 3.4A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7220DN-T1-E3TR-ND@0

60V 3.4A - 1.3W 60ミリオーム @ 4.8A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7220DN-T1-E3

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MOSFET - アレイ 60V 3.4A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7220DN-T1-E3CT-ND@0

60V 3.4A - 1.3W 60ミリオーム @ 4.8A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7220DN-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 60V 3.4A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7220DN-T1-GE3TR-ND@0

60V 3.4A - 1.3W 60ミリオーム @ 4.8A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7220DN-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 60V 3.4A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7220DN-T1-GE3CT-ND@0

60V 3.4A - 1.3W 60ミリオーム @ 4.8A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7223DN-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 30V 6A(Tc) 2.6W(Ta)、23W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7223DN-T1-GE3CT-ND@0

30V 6A(Tc) 1425pF @ 15V 2.6W(Ta)、23W(Tc) 26.4ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 40nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7223DN-T1-GE3

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 6A(Tc) 2.6W(Ta)、23W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7223DN-T1-GE3TR-ND@0

30V 6A(Tc) 1425pF @ 15V 2.6W(Ta)、23W(Tc) 26.4ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 40nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7230DN-T1-E3

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Nチャンネル 30 V 9A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 PowerPAK® 1212-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7230DN-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 9A(Ta) 1.5W(Ta) 12ミリオーム @ 14A、10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8
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SI7230DN-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 9A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 PowerPAK® 1212-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7230DN-T1-GE3-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 9A(Ta) 1.5W(Ta) 12ミリオーム @ 14A、10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8
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SI7232DN-T1-GE3

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 25A 23W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7232DN-T1-GE3TR-ND@0

20V 25A 1220pF @ 10V 23W 16.4ミリオーム @ 10A、4.5V 1V @ 250µA 32nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7232DN-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 20V 25A 23W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7232DN-T1-GE3CT-ND@0

20V 25A 1220pF @ 10V 23W 16.4ミリオーム @ 10A、4.5V 1V @ 250µA 32nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7234DP-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 12V 60A 46W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7234DP-T1-GE3TR-ND@0

12V 60A 5000pF @ 6V 46W 3.4ミリオーム @ 20A、4.5V 1.5V @ 250µA 120nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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SI7234DP-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 12V 60A 46W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7234DP-T1-GE3CT-ND@0

12V 60A 5000pF @ 6V 46W 3.4ミリオーム @ 20A、4.5V 1.5V @ 250µA 120nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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SI7252ADP-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 100V 9.3A(Ta)、28.7A(Tc) 3.6W(Ta)、33.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI7252ADP-T1-GE3CT-ND@0

100V 9.3A(Ta)、28.7A(Tc) 1266pF @ 50V 3.6W(Ta)、33.8W(Tc) 18.6ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 26.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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SI7252ADP-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 100V 9.3A(Ta)、28.7A(Tc) 3.6W(Ta)、33.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI7252ADP-T1-GE3TR-ND@0

100V 9.3A(Ta)、28.7A(Tc) 1266pF @ 50V 3.6W(Ta)、33.8W(Tc) 18.6ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 26.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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SI7252DP-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 100V 36.7A 46W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7252DP-T1-GE3CT-ND@0

100V 36.7A 1170pF @ 50V 46W 18ミリオーム @ 15A、10V 3.5V @ 250µA 27nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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SI7252DP-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 100V 36.7A 46W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7252DP-T1-GE3TR-ND@0

100V 36.7A 1170pF @ 50V 46W 18ミリオーム @ 15A、10V 3.5V @ 250µA 27nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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SI7272DP-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 30V 25A 22W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7272DP-T1-GE3CT-ND@0

30V 25A 1100pF @ 15V 22W 9.3ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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SI7272DP-T1-GE3

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MOSFET - アレイ 30V 25A 22W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
CoreStaff Part Number:zp2216-SI7272DP-T1-GE3TR-ND@0

30V 25A 1100pF @ 15V 22W 9.3ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル

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