FETs

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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI4430BDY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 30 V 14A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4430BDY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 14A(Ta) 1.6W(Ta) 4.5ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 36 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4431BDY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4431BDY-T1-E3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 30ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Partner Stock

SI4431BDY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4431BDY-T1-E3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 30ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4431BDY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI4431BDY-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 30ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Partner Stock

SI4431BDY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI4431BDY-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 30ミリオーム @ 7.5A、10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Partner Stock

SI4431CDY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 9A(Tc) 4.2W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4431CDY-T1-E3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 9A(Tc) 1006 pF @ 15 V 4.2W(Tc) 32ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Partner Stock

SI4431CDY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 9A(Tc) 4.2W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4431CDY-T1-E3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 9A(Tc) 1006 pF @ 15 V 4.2W(Tc) 32ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4431CDY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 9A(Tc) 2.5W(Ta)、4.2W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4431CDY-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 9A(Tc) 1006 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、4.2W(Tc) 32ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4431CDY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 9A(Tc) 2.5W(Ta)、4.2W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4431CDY-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 9A(Tc) 1006 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、4.2W(Tc) 32ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4434ADY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 250 V 2.8A(Ta)、4.1A(Tc) 2.9W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SO
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4434ADY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 7.5V、10V 2.8A(Ta)、4.1A(Tc) 600 pF @ 125 V 2.9W(Ta)、6W(Tc) 150ミリオーム @ 2.8A、10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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SI4434ADY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 250 V 2.8A(Ta)、4.1A(Tc) 2.9W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SO
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4434ADY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 7.5V、10V 2.8A(Ta)、4.1A(Tc) 600 pF @ 125 V 2.9W(Ta)、6W(Tc) 150ミリオーム @ 2.8A、10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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SI4434DY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 250 V 2.1A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4434DY-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 6V、10V 2.1A(Ta) 1.56W(Ta) 155ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4434DY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 250 V 2.1A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4434DY-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 6V、10V 2.1A(Ta) 1.56W(Ta) 155ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4434DY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 250 V 2.1A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4434DY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 6V、10V 2.1A(Ta) 1.56W(Ta) 155ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4434DY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 250 V 2.1A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4434DY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 250 V 6V、10V 2.1A(Ta) 1.56W(Ta) 155ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4435DDY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 11.4A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4435DDY-T1-E3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 11.4A(Tc) 1350 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 24ミリオーム @ 9.1A、10V 3V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4435DDY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 11.4A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4435DDY-T1-E3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 11.4A(Tc) 1350 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 24ミリオーム @ 9.1A、10V 3V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4435DDY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 11.4A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4435DDY-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 11.4A(Tc) 1350 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 24ミリオーム @ 9.1A、10V 3V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4435DDY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 11.4A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4435DDY-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 11.4A(Tc) 1350 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 24ミリオーム @ 9.1A、10V 3V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4435DY
INFINEON TECHNOLOGIES

Certified
in Japan

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-SI4435DY-ND@0

HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 8.8A(Ta) 2320 pF @ 15 V 2.5W(Ta) 20ミリオーム @ 8.8A、10V 3V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V -55°C~155°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4435DYPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

Certified
in Japan

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-SI4435DYPBF-ND@0

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SI4435DYTR
INFINEON TECHNOLOGIES

Certified
in Japan

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-SI4435DYTR-ND@0

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SI4435DYTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

Certified
in Japan

   

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CoreStaff Part Number:zp2216-SI4435DYTRPBF-ND@0

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SI4435FDY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 12.6A(Tc) 4.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4435FDY-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 12.6A(Tc) 1500 pF @ 15 V 4.8W(Tc) 19ミリオーム @ 9A、10V 2.2V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4435FDY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 30 V 12.6A(Tc) 4.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4435FDY-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 12.6A(Tc) 1500 pF @ 15 V 4.8W(Tc) 19ミリオーム @ 9A、10V 2.2V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4436DY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 8A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4436DY-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 8A(Tc) 1100 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 36ミリオーム @ 4.6A、10V 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4436DY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 8A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4436DY-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 8A(Tc) 1100 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 36ミリオーム @ 4.6A、10V 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Partner Stock

SI4436DY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 8A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4436DY-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 8A(Tc) 1100 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 36ミリオーム @ 4.6A、10V 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4436DY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 60 V 8A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4436DY-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 8A(Tc) 1100 pF @ 30 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 36ミリオーム @ 4.6A、10V 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4442DY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4442DY-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.5V、10V 15A(Ta) 1.6W(Ta) 4.5ミリオーム @ 22A、10V 1.5V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4442DY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4442DY-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.5V、10V 15A(Ta) 1.6W(Ta) 4.5ミリオーム @ 22A、10V 1.5V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
Partner Stock

SI4442DY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4442DY-T1-GE3-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.5V、10V 15A(Ta) 1.6W(Ta) 4.5ミリオーム @ 22A、10V 1.5V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4447ADY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 40 V 7.2A(Tc) 4.2W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4447ADY-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 7.2A(Tc) 970 pF @ 20 V 4.2W(Tc) 45ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4447ADY-T1-GE3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 40 V 7.2A(Tc) 4.2W(Tc) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4447ADY-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 7.2A(Tc) 970 pF @ 20 V 4.2W(Tc) 45ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4447DY-T1-E3

RoHS

Certified
in Japan

   

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Pチャンネル 40 V 3.3A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 8-SOIC
CoreStaff Part Number:zp2216-SI4447DY-T1-E3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 15V、10V 3.3A(Ta) 805 pF @ 20 V 1.1W(Ta) 72ミリオーム @ 4.5A、15V 2.2V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC

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