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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI2310A

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 3A(Ta) 1.38W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2310ATR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 3A(Ta) 780 pF @ 25 V 1.38W(Ta) 80ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2310A

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 3A(Ta) 1.38W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2310ACT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 3A(Ta) 780 pF @ 25 V 1.38W(Ta) 80ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2310A-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 3A 1.2W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2310A-TPCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 3A 247 pF @ 30 V 1.2W 105ミリオーム @ 3A、10V 1.5V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2310A-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 3A 1.2W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2310A-TPTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 3A 247 pF @ 30 V 1.2W 105ミリオーム @ 3A、10V 1.5V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2310AHE3-TP

   

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Nチャンネル 60 V 3A 1.2W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2310AHE3-TP-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 3A 409 pF @ 10 V 1.2W 100ミリオーム @ 3A、10V 2V @ 250µA 10.27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C 面実装 SOT-23
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SI2310B-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 3A(Tj) 1.2W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2310B-TPTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 3A(Tj) 247 pF @ 30 V 1.2W 105ミリオーム @ 3A、10V 1.3V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2310B-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 3A(Tj) 1.2W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2310B-TPCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 3A(Tj) 247 pF @ 30 V 1.2W 105ミリオーム @ 3A、10V 1.3V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2312-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 5A(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2312-TPMSCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 4.5V 5A(Ta) 865 pF @ 10 V 350mW(Ta) 41ミリオーム @ 4.3A、1.8V 1V @ 250µA ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2312-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 5A(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2312-TPMSTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 4.5V 5A(Ta) 865 pF @ 10 V 350mW(Ta) 41ミリオーム @ 4.3A、1.8V 1V @ 250µA ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2312A

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 5A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2312ATR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 5A(Ta) 750mW(Ta) 26ミリオーム @ 5A、4.5V 850mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±8V 150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2312A

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 5A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2312ACT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 5A(Ta) 750mW(Ta) 26ミリオーム @ 5A、4.5V 850mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±8V 150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2312A-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 5A 1.2W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2312A-TPCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、4.5V 5A 865 pF @ 10 V 1.2W 25ミリオーム @ 3.4A、4.5V 900mV @ 250µA ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2312A-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 5A 1.2W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2312A-TPTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、4.5V 5A 865 pF @ 10 V 1.2W 25ミリオーム @ 3.4A、4.5V 900mV @ 250µA ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2312B-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6.8A(Ta) 1.25W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2312B-TPCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、4.5V 6.8A(Ta) 500 pF @ 8 V 1.25W 21ミリオーム @ 4.5A、4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2312B-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6.8A(Ta) 1.25W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2312B-TPTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、4.5V 6.8A(Ta) 500 pF @ 8 V 1.25W 21ミリオーム @ 4.5A、4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2312BDS-T1-BE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2312BDS-T1-BE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 31ミリオーム @ 5A、4.5V 850mV @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2312BDS-T1-BE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2312BDS-T1-BE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 31ミリオーム @ 5A、4.5V 850mV @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2312BDS-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2312BDS-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 31ミリオーム @ 5A、4.5V 850mV @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2312BDS-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2312BDS-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 31ミリオーム @ 5A、4.5V 850mV @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2312BDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2312BDS-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 31ミリオーム @ 5A、4.5V 850mV @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2312BDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2312BDS-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 3.9A(Ta) 750mW(Ta) 31ミリオーム @ 5A、4.5V 850mV @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2312CDS-T1-BE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 5A(Ta)、6A(Tc) 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2312CDS-T1-BE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 5A(Ta)、6A(Tc) 865 pF @ 10 V 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 31.8ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2312CDS-T1-BE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 5A(Ta)、6A(Tc) 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2312CDS-T1-BE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 5A(Ta)、6A(Tc) 865 pF @ 10 V 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 31.8ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2312CDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6A(Tc) 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2312CDS-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 6A(Tc) 865 pF @ 10 V 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 31.8ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2312CDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6A(Tc) 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2312CDS-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 6A(Tc) 865 pF @ 10 V 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 31.8ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2312HE3-TP

   

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Nチャンネル 20 V 5A 350mW 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2312HE3-TP-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 5A 865 pF @ 10 V 350mW 31.8ミリオーム 5A、4.5V 1V @ 250µA ±8V -55°C~150°C 面実装 SOT-23
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SI2314EDS-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 3.77A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2314EDS-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 3.77A(Ta) 750mW(Ta) 33ミリオーム @ 5A、4.5V 950mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2314EDS-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 3.77A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2314EDS-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 3.77A(Ta) 750mW(Ta) 33ミリオーム @ 5A、4.5V 950mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
Partner Stock

SI2314EDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 3.77A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2314EDS-T1-GE3-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 3.77A(Ta) 750mW(Ta) 33ミリオーム @ 5A、4.5V 950mV @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2315BDS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 12 V 3A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2315BDS-T1-BE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.8V、4.5V 3A(Ta) 715 pF @ 6 V 750mW(Ta) 50ミリオーム @ 3.85A、4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2315BDS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 12 V 3A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2315BDS-T1-BE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.8V、4.5V 3A(Ta) 715 pF @ 6 V 750mW(Ta) 50ミリオーム @ 3.85A、4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2315BDS-T1-E3

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 3A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2315BDS-T1-E3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.8V、4.5V 3A(Ta) 715 pF @ 6 V 750mW(Ta) 50ミリオーム @ 3.85A、4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
Partner Stock

SI2315BDS-T1-E3

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 3A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2315BDS-T1-E3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.8V、4.5V 3A(Ta) 715 pF @ 6 V 750mW(Ta) 50ミリオーム @ 3.85A、4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2315BDS-T1-GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 12 V 3A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2315BDS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 4.5V 3A(Ta) 715 pF @ 6 V 750mW(Ta) 50ミリオーム @ 3.85A、4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2315BDS-T1-GE3

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Pチャンネル 12 V 3A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2315BDS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 4.5V 3A(Ta) 715 pF @ 6 V 750mW(Ta) 50ミリオーム @ 3.85A、4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)

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