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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI2307A

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 3A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2307ACT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3A(Ta) 565 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 50ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250µA 15 nC @ 15 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2307A

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 3A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2307ATR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3A(Ta) 565 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 50ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250µA 15 nC @ 15 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2307BDS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 30 V 2.5A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2307BDS-T1-BE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 2.5A(Ta) 380 pF @ 15 V 750mW(Ta) 78ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2307BDS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 30 V 2.5A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2307BDS-T1-BE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 2.5A(Ta) 380 pF @ 15 V 750mW(Ta) 78ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2307BDS-T1-E3

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 2.5A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2307BDS-T1-E3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 2.5A(Ta) 380 pF @ 15 V 750mW(Ta) 78ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2307BDS-T1-E3

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Pチャンネル 30 V 2.5A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2307BDS-T1-E3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 2.5A(Ta) 380 pF @ 15 V 750mW(Ta) 78ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2307BDS-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 2.5A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2307BDS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 10V 2.5A(Ta) 380 pF @ 15 V 750mW(Ta) 78ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2307BDS-T1-GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 2.5A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2307BDS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 10V 2.5A(Ta) 380 pF @ 15 V 750mW(Ta) 78ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2307CDS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 30 V 2.7A(Ta)、3.5A(Tc) 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2307CDS-T1-BE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 2.7A(Ta)、3.5A(Tc) 340 pF @ 15 V 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 88ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 6.2 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2307CDS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 30 V 2.7A(Ta)、3.5A(Tc) 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2307CDS-T1-BE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 2.7A(Ta)、3.5A(Tc) 340 pF @ 15 V 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 88ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 6.2 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2307CDS-T1-E3

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 3.5A(Tc) 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2307CDS-T1-E3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.5A(Tc) 340 pF @ 15 V 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 88ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 6.2 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2307CDS-T1-E3

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 3.5A(Tc) 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2307CDS-T1-E3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.5A(Tc) 340 pF @ 15 V 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 88ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 6.2 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2307CDS-T1-GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 3.5A(Tc) 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2307CDS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.5A(Tc) 340 pF @ 15 V 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 88ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 6.2 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2307CDS-T1-GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 3.5A(Tc) 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2307CDS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.5A(Tc) 340 pF @ 15 V 1.1W(Ta)、1.8W(Tc) 88ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 6.2 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2308A

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Nチャンネル 60 V 3A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2308ACT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 3A(Ta) 240 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 80ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2308A

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 3A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2308ATR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 3A(Ta) 240 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 80ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2308BDS-T1-BE3

   

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Nチャンネル 60 V 1.9A(Ta)、2.3A(Tc) 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2308BDS-T1-BE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 1.9A(Ta)、2.3A(Tc) 190 pF @ 30 V 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 156ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 6.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2308BDS-T1-BE3

   

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Nチャンネル 60 V 1.9A(Ta)、2.3A(Tc) 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2308BDS-T1-BE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 1.9A(Ta)、2.3A(Tc) 190 pF @ 30 V 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 156ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 6.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2308BDS-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 2.3A(Tc) 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2308BDS-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 2.3A(Tc) 190 pF @ 30 V 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 156ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 6.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2308BDS-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 2.3A(Tc) 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2308BDS-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 2.3A(Tc) 190 pF @ 30 V 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 156ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 6.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2308BDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 2.3A(Tc) 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2308BDS-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 2.3A(Tc) 190 pF @ 30 V 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 156ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 6.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2308BDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 2.3A(Tc) 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2308BDS-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 2.3A(Tc) 190 pF @ 30 V 1.09W(Ta)、1.66W(Tc) 156ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 6.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2308CDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 2.6A(Tc) 1.6W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2308CDS-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 2.6A(Tc) 105 pF @ 30 V 1.6W(Tc) 144ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2308CDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 2.6A(Tc) 1.6W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2308CDS-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 2.6A(Tc) 105 pF @ 30 V 1.6W(Tc) 144ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2308DS-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 2A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2308DS-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 2A(Ta) 240 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 160ミリオーム @ 2A、10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2309CDS-T1-BE3

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Pチャンネル 60 V 1.2A(Ta)、1.6A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2309CDS-T1-BE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 1.2A(Ta)、1.6A(Tc) 210 pF @ 30 V 1W(Ta)、1.7W(Tc) 345ミリオーム @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2309CDS-T1-BE3

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 1.2A(Ta)、1.6A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2309CDS-T1-BE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 1.2A(Ta)、1.6A(Tc) 210 pF @ 30 V 1W(Ta)、1.7W(Tc) 345ミリオーム @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2309CDS-T1-E3

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 1.6A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2309CDS-T1-E3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 1.6A(Tc) 210 pF @ 30 V 1W(Ta)、1.7W(Tc) 345ミリオーム @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2309CDS-T1-E3

RoHS
   

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Pチャンネル 60 V 1.6A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2309CDS-T1-E3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 1.6A(Tc) 210 pF @ 30 V 1W(Ta)、1.7W(Tc) 345ミリオーム @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2309CDS-T1-GE3

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Pチャンネル 60 V 1.6A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2309CDS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 1.6A(Tc) 210 pF @ 30 V 1W(Ta)、1.7W(Tc) 345ミリオーム @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2309CDS-T1-GE3

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Pチャンネル 60 V 1.6A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2309CDS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 1.6A(Tc) 210 pF @ 30 V 1W(Ta)、1.7W(Tc) 345ミリオーム @ 1.25A、10V 3V @ 250µA 4.1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2310-TP

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Nチャンネル 60 V 3A(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2310-TPMSCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 3A(Ta) 247 pF @ 30 V 350mW(Ta) 125ミリオーム @ 3A、4.5V 2V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2310-TP

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Nチャンネル 60 V 3A(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2310-TPMSTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V 3A(Ta) 247 pF @ 30 V 350mW(Ta) 125ミリオーム @ 3A、4.5V 2V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23

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