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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI2304BDS-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 2.6A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2304BDS-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 2.6A(Ta) 225 pF @ 15 V 750mW(Ta) 70ミリオーム @ 2.5A、10V 3V @ 250µA 4 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2304BDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 2.6A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2304BDS-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 2.6A(Ta) 225 pF @ 15 V 750mW(Ta) 70ミリオーム @ 2.5A、10V 3V @ 250µA 4 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2304BDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 2.6A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2304BDS-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 2.6A(Ta) 225 pF @ 15 V 750mW(Ta) 70ミリオーム @ 2.5A、10V 3V @ 250µA 4 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2304DDS-T1-BE3

   

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Nチャンネル 30 V 3.3A(Ta)、3.6A(Tc) 1.1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2304DDS-T1-BE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.3A(Ta)、3.6A(Tc) 235 pF @ 15 V 1.1W(Ta)、1.7W(Tc) 60ミリオーム @ 3.2A、10V 2.2V @ 250µA 6.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2304DDS-T1-BE3

   

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Nチャンネル 30 V 3.3A(Ta)、3.6A(Tc) 1.1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2304DDS-T1-BE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.3A(Ta)、3.6A(Tc) 235 pF @ 15 V 1.1W(Ta)、1.7W(Tc) 60ミリオーム @ 3.2A、10V 2.2V @ 250µA 6.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2304DDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 3.3A(Ta)、3.6A(Tc) 1.1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2304DDS-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.3A(Ta)、3.6A(Tc) 235 pF @ 15 V 1.1W(Ta)、1.7W(Tc) 60ミリオーム @ 3.2A、10V 2.2V @ 250µA 6.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2304DDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 3.3A(Ta)、3.6A(Tc) 1.1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2304DDS-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.3A(Ta)、3.6A(Tc) 235 pF @ 15 V 1.1W(Ta)、1.7W(Tc) 60ミリオーム @ 3.2A、10V 2.2V @ 250µA 6.7 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2305-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 8 V 4.1A(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2305-TPMSCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 8 V 4.5V 4.1A(Ta) 350mW(Ta) 90ミリオーム @ 2A、1.8V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2305-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 8 V 4.1A(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2305-TPMSTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 8 V 4.5V 4.1A(Ta) 350mW(Ta) 90ミリオーム @ 2A、1.8V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2305A

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 4.2A(Ta) 1.38W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2305ACT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、4.5V 4.2A(Ta) 740 pF @ 15 V 1.38W(Ta) 40ミリオーム @ 4.2A、4.5V 10.6 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2305A

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 4.2A(Ta) 1.38W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2305ATR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 2.5V、4.5V 4.2A(Ta) 740 pF @ 15 V 1.38W(Ta) 40ミリオーム @ 4.2A、4.5V 10.6 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2305B-13P

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 4.2A(Ta) 1.4W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2305B-13PTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 4.2A(Ta) 740 pF @ 4 V 1.4W 60ミリオーム @ 2.7A、4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2305B-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 4.2A(Tj) 1.4W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2305B-TPMSTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 4.2A(Tj) 740 pF @ 4 V 1.4W 60ミリオーム @ 2.7A、4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2305B-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 4.2A(Tj) 1.4W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2305B-TPMSCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 4.2A(Tj) 740 pF @ 4 V 1.4W 60ミリオーム @ 2.7A、4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2305BHE3-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 4.2A 1.4W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2305BHE3-TPTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 4.2A 1010 pF @ 10 V 1.4W 60ミリオーム @ 2.7A、4.5V 900mV @ 250µA 10.98 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2305BHE3-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 20 V 4.2A 1.4W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2305BHE3-TPCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20 V 1.8V、4.5V 4.2A 1010 pF @ 10 V 1.4W 60ミリオーム @ 2.7A、4.5V 900mV @ 250µA 10.98 nC @ 4.5 V ±10V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2305CDS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 8 V 4.4A(Ta)、5.8A(Tc) 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2305CDS-T1-BE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 8 V 1.8V、4.5V 4.4A(Ta)、5.8A(Tc) 960 pF @ 4 V 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 35ミリオーム @ 4.4A、4.5V 1V @ 250µA 30 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2305CDS-T1-GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 8 V 5.8A(Tc) 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2305CDS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 8 V 1.8V、4.5V 5.8A(Tc) 960 pF @ 4 V 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 35ミリオーム @ 4.4A、4.5V 1V @ 250µA 30 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2305CDS-T1-GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 8 V 5.8A(Tc) 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2305CDS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 8 V 1.8V、4.5V 5.8A(Tc) 960 pF @ 4 V 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 35ミリオーム @ 4.4A、4.5V 1V @ 250µA 30 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2305CHE3-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 8 V 5.4A(Ta) 1.3W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2305CHE3-TPTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 8 V 2.5V、4.5V 5.4A(Ta) 740 pF @ 4 V 1.3W 90ミリオーム @ 2A、1.8V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2306-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 3.16A(Ta) 750mW 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2306-TPMSTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 10V 3.16A(Ta) 305 pF @ 15 V 750mW 65ミリオーム @ 2.5A、4.5V 3V @ 250µA 4.5 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2306-TP

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 3.16A(Ta) 750mW 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2306-TPMSCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 10V 3.16A(Ta) 305 pF @ 15 V 750mW 65ミリオーム @ 2.5A、4.5V 3V @ 250µA 4.5 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2306A

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 4A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2306ACT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 4A(Ta) 555 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 35ミリオーム @ 4A、10V 3V @ 250µA 7 nC @ 5 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2306A

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 4A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-4518-SI2306ATR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 4A(Ta) 555 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 35ミリオーム @ 4A、10V 3V @ 250µA 7 nC @ 5 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2306BDS-T1-BE3

   

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Nチャンネル 30 V 3.16A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2306BDS-T1-BE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.16A(Ta) 305 pF @ 15 V 750mW(Ta) 47ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 4.5 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2306BDS-T1-BE3

   

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Nチャンネル 30 V 3.16A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2306BDS-T1-BE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.16A(Ta) 305 pF @ 15 V 750mW(Ta) 47ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 4.5 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2306BDS-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 3.16A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2306BDS-T1-E3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.16A(Ta) 305 pF @ 15 V 750mW(Ta) 47ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 4.5 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2306BDS-T1-E3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 3.16A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2306BDS-T1-E3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.16A(Ta) 305 pF @ 15 V 750mW(Ta) 47ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 4.5 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2306BDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 3.16A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2306BDS-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.16A(Ta) 305 pF @ 15 V 750mW(Ta) 47ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 4.5 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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SI2306BDS-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 3.16A(Ta) 750mW(Ta) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2306BDS-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 3.16A(Ta) 305 pF @ 15 V 750mW(Ta) 47ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 4.5 nC @ 5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
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Nチャンネル 60 V 550mA(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2306K-TPTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 550mA(Ta) 34 pF @ 25 V 960mW (Tj) 1.2オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 250µA 1.3 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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Nチャンネル 60 V 550mA(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2306K-TPCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 550mA(Ta) 34 pF @ 25 V 960mW (Tj) 1.2オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 250µA 1.3 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2307-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 2.7A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2307-TPTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 10V 2.7A(Ta) 340 pF @ 15 V 1.1W(Ta) 135ミリオーム @ 2.6A、4.5V 3V @ 250µA 6.2 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23
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SI2307-TP

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 2.7A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2307-TPCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 10V 2.7A(Ta) 340 pF @ 15 V 1.1W(Ta) 135ミリオーム @ 2.6A、4.5V 3V @ 250µA 6.2 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23

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