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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 750V 15V、20V 47A(Tc) 1135 pF @ 500 V 211W（Tc） 37ミリオーム @ 16.6A、20V 5.6V @ 6mA 34 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-HDSOP-22-1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200V 15V、18V 26A(Tc) 707 pF @ 800 V 115W（Tc） 117ミリオーム @ 8.5A、18V 5.7V @ 3.7mA 21 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-41
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200V 15V、18V 4.7A(Tc) 182 pF @ 800 V 60W（Tc） 455ミリオーム @ 2A、18V 5.7V @ 1mA 5.3 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-41
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 93A(Tc) 2792 pF @ 400 V 341W（Tc） 13.2ミリオーム @ 64.2A、20V 5.6V @ 13mA 79 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-40
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 83A(Tc) 2038 pF @ 400 V 273W（Tc） 18ミリオーム @ 46.9A、20V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-40
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Infineon Technologies CoolSIC™ M1 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 18 V 47A(Tc) 2131 pF @ 400 V 189W（Tc） 34ミリオーム @ 38.3A、18V 5.7V @ 11mA 62 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-41
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 46A(Tc) 997 pF @ 400 V 172W（Tc） 36ミリオーム @ 22.9A、20V 5.6V @ 4.6mA 28 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-40
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Infineon Technologies CoolSIC™ M1 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 18 V 39A(Tc) 1118 pF @ 400 V 125W（Tc） 64ミリオーム @ 20.1A、18V 5.7V @ 6mA 33 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-41
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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 38A(Tc) 790 pF @ 400 V 153W（Tc） 46ミリオーム @ 18.2A、20V 5.6V @ 3.7mA 22 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-40
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Infineon Technologies CoolSIC™ M1 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 18 V 26A(Tc) 744 pF @ 400 V 96W（Tc） 94ミリオーム @ 13.3A、18V 5.7V @ 4mA 22 nC @ 18 V +23V、-5V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO247-3-41
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 2000V 15V、18V 89A(Tc) 576W（Tc） 33ミリオーム @ 40A、18V 5.5V @ 24mA 137 nC @ 18 V +20V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-4-U04
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200V 15 V 52A(Tc) 1900 pF @ 800 V 228W（Tc） 59ミリオーム @ 20A、15V 5.7V @ 10mA 52 nC @ 15 V +20V、-10V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-4-1
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Infineon Technologies CoolSiC™ Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 1200V 15V、18V 26A(Tc) 707 pF @ 800 V 115W（Tc） 117ミリオーム @ 8.5A、18V 5.7V @ 3.7mA 21 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-4-1
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240pcs ～  ¥3226.59
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コアスタッフ型名：st70516021


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Infineon Technologies CoolSiC™ Gen 2 Nチャンネル SiCFET（炭化ケイ素） 650V 15V、20V 83A(Tc) 2038 pF @ 400 V 273W（Tc） 18ミリオーム @ 46.9A、20V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V、-7V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO247-4-8
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250
1pcs ～  ¥599.02
1,000pcs ～  ¥385.65
1,500pcs ～  ¥362.12
2,000pcs ～  ¥325.83
3,000pcs ～  ¥315.35

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コアスタッフ型名：st67697852


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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 83A(Tc) 7300 pF @ 50 V 41W（Tc） 3ミリオーム @ 50A、10V 3.8V @ 169µA 154 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ
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IPA032N06N3GXKSA1
350
50pcs ～  ¥349.92
150pcs ～  ¥320.66
250pcs ～  ¥300.35
500pcs ～  ¥268.77
1,000pcs ～  ¥258.4

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 2026/10/08
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コアスタッフ型名：st73440684


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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 10 V 84A(Tc) 13000 pF @ 30 V 41W（Tc） 3.2ミリオーム @ 80A、10V 4V @ 118µA 165 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-31
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500
500pcs ～  ¥365.82
1,000pcs ～  ¥344.33
1,500pcs ～  ¥323.38
2,500pcs ～  ¥292.02
4,000pcs ～  ¥281.48

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最低発注数量 : 500
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 2026/10/08
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コアスタッフ型名：st72436166


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 66A(Tc) 4700 pF @ 50 V 38W（Tc） 5ミリオーム @ 33A、10V 3.8V @ 84µA 68 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ
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IPA057N08N3GXKSA1
500
500pcs ～  ¥347.74
1,000pcs ～  ¥328.83
1,500pcs ～  ¥307.89
2,500pcs ～  ¥278.32
4,000pcs ～  ¥268.28

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最低発注数量 : 500
以降発注単位 : 500

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 2026/10/08
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コアスタッフ型名：st76072960


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 80V 6V、10V 60A(Tc) 4750 pF @ 40 V 39W（Tc） 5.7ミリオーム @ 60A、10V 3.5V @ 90µA 69 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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500
500pcs ～  ¥667.99
1,000pcs ～  ¥628.42
1,500pcs ～  ¥589.39
2,000pcs ～  ¥535.02
2,500pcs ～  ¥514.28

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最低発注数量 : 500
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 2026/10/08
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コアスタッフ型名：st70516033


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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 150V 8V、10V 43A(Tc) 7280 pF @ 75 V 39W（Tc） 7.5ミリオーム @ 43A、10V 4V @ 270µA 93 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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550
500pcs ～  ¥227.73
1,000pcs ～  ¥213.98
1,500pcs ～  ¥200.78
3,000pcs ～  ¥181.14
4,500pcs ～  ¥174.56

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最低発注数量 : 500
以降発注単位 : 500

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コアスタッフ型名：st67697854


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Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 46A(Tc) 2000 pF @ 50 V 35W（Tc） 8.2ミリオーム @ 30A、10V 3.8V @ 46µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ
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2,000
500pcs ～  ¥303.83
1,000pcs ～  ¥285.11
1,500pcs ～  ¥267.59
2,500pcs ～  ¥241.53
4,500pcs ～  ¥232.78

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最低発注数量 : 500
以降発注単位 : 500

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コアスタッフ型名：st70516174


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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 100V 6V、10V 44A(Tc) 2730 pF @ 50 V 36W（Tc） 8.3ミリオーム @ 44A、10V 3.8V @ 49µA 37 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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IPA50R140CPXKSA1
1,450
500pcs ～  ¥427.81
1,000pcs ～  ¥403.72
1,500pcs ～  ¥375.03
2,000pcs ～  ¥341.32
2,500pcs ～  ¥328.32

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最低発注数量 : 500
以降発注単位 : 500

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コアスタッフ型名：st67697855


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Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 10 V 23A(Tc) 2540 pF @ 100 V 34W（Tc） 140ミリオーム @ 14A、10V 3.5V @ 930µA 64 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-31
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IPA50R280CEXKSA2
4,200
500pcs ～  ¥155.39
1,000pcs ～  ¥145.78
1,500pcs ～  ¥136.71
3,000pcs ～  ¥123.27
4,500pcs ～  ¥118.77

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最低発注数量 : 500
以降発注単位 : 500

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 2026/10/08
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コアスタッフ型名：st67697856


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Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13 V 18.1A(Tc) 773 pF @ 100 V 30.4W（Tc） 280ミリオーム @ 4.2A、13V 3.5V @ 350µA 32.6 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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IPA50R380CEXKSA2
8,900
500pcs ～  ¥127.16
1,000pcs ～  ¥119.14
2,000pcs ～  ¥111.57
3,000pcs ～  ¥100.67
5,000pcs ～  ¥96.96

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最低発注数量 : 500
以降発注単位 : 500

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 2026/10/08
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コアスタッフ型名：st67697857


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Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13 V 6.3A(Tc) 584 pF @ 100 V 29.2W（Tc） 380ミリオーム @ 3.2A、13V 3.5V @ 260µA 24.8 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13 V 5.4A(Tc) 433 pF @ 100 V 28W（Tc） 500ミリオーム @ 2.3A、13V 3.5V @ 200µA 18.7 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13 V 4.1A(Tc) 280 pF @ 100 V 26.4W（Tc） 800ミリオーム @ 1.5A、13V 3.5V @ 130µA 12.4 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ CE Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 500V 13 V 3.7A(Tc) 231 pF @ 100 V 25.7W（Tc） 950ミリオーム @ 1.2A、13V 3.5V @ 100µA 10.5 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 37A(Tc) 2180 pF @ 400 V 29W（Tc） 80ミリオーム @ 11.8A、10V 4V @ 590µA 51 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 37.9A(Tc) 3330 pF @ 100 V 34W（Tc） 99ミリオーム @ 14.5A、10V 4.5V @ 1.21mA 70 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 30A(Tc) 2660 pF @ 100 V 34W（Tc） 125ミリオーム @ 11.6A、10V 4.5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 23.8A(Tc) 1660 pF @ 100 V 34W（Tc） 160ミリオーム @ 11.3A、10V 3.5V @ 750µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 23.8A(Tc) 2080 pF @ 100 V 34W（Tc） 160ミリオーム @ 9A、10V 4.5V @ 750µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 20.2A(Tc) 1400 pF @ 100 V 34W（Tc） 190ミリオーム @ 9.5A、10V 3.5V @ 630µA 63 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 13.8A(Tc) 1190 pF @ 100 V 32W（Tc） 280ミリオーム @ 5.2A、10V 4.5V @ 430µA 25.5 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 12A(Tc) 761 pF @ 400 V 24W（Tc） 280ミリオーム @ 3.8A、10V 4V @ 190µA 18 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650V 10 V 5A(Tc) 679 pF @ 400 V 23W（Tc） 360ミリオーム @ 2.9A、10V 4.5V @ 140µA 14 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220フルパッッケージ
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 9A(Tc) 555 pF @ 400 V 22W（Tc） 360ミリオーム @ 2.7A、10V 4V @ 140µA 13 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 10.6A(Tc) 877 pF @ 100 V 31W（Tc） 380ミリオーム @ 3.8A、10V 4.5V @ 320µA 19 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P6 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 4.9A(Tc) 557 pF @ 100 V 28W（Tc） 600ミリオーム @ 2.4A、10V 4.5V @ 200µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 6A(Tc) 363 pF @ 400 V 21W（Tc） 600ミリオーム @ 1.7A、10V 4V @ 80µA 9 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ CFD2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 650V 10 V 17.5A(Tc) 1850 pF @ 100 V 34W（Tc） 190ミリオーム @ 7.3A、10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 700V 10 V 8.5A(Tc) 364 pF @ 400 V 25W（Tc） 600ミリオーム @ 1.8A、10V 3.5V @ 90µA 10.5 nC @ 10 V ±16V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-3-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 950V 10 V 14A(Tc) 1053 pF @ 400 V 30W（Tc） 450ミリオーム @ 7.2A、10V 3.5V @ 360µA 35 nC @ 10 V ±20V -55°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 12A(Tc) 761 pF @ 400 V 24W（Tc） 280ミリオーム @ 3.8A、10V 4V @ 190µA 18 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies CoolMOS™ P7 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 600V 10 V 6A(Tc) 363 pF @ 400 V 21W（Tc） 600ミリオーム @ 1.7A、10V 4V @ 80µA 9 nC @ 10 V ±20V -40°C～150°C(TJ) スルーホール PG-TO220-FP
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 45A(TA)、180A(Tc) 15000 pF @ 30 V 300W（Tc） 1ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 280µA 208 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7
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Infineon Technologies OptiMOS™ Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 4.5V、10V 180A(Tc) 29000 pF @ 20 V 250W（Tc） 1.1ミリオーム @ 100A、10V 2V @ 200µA 346 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-7-3
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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 40A(TA)、198A(Tc) 13800 pF @ 30 V 3.8W（Ta）、300W（Tc） 1.3ミリオーム @ 100A、10V 3.3V @ 246µA 305 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 40V 6V、10V 38A(TA)、191A(Tc) 7500 pF @ 20 V 3.8W（Ta）、188W（Tc） 1.45ミリオーム @ 100A、10V 3.4V @ 126µA 159 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3
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Infineon Technologies StrongIRFET™2 Nチャンネル MOSFET（金属酸化物） 60V 6V、10V 37A(TA)、195A(Tc) 10500 pF @ 30 V 3.8W（Ta）、250W（Tc） 1.5ミリオーム @ 100A、10V 3.3V @ 186µA 233 nC @ 10 V ±20V -55°C～175°C(TJ) 面実装 PG-TO263-3

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