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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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RQ3E150BNTB

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta)、39A(Tc) 2W(Ta)、17W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E150BNTBCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 15A(Ta)、39A(Tc) 3000 pF @ 15 V 2W(Ta)、17W(Tc) 5.3ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3E150BNTB

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta)、39A(Tc) 2W(Ta)、17W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E150BNTBTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 15A(Ta)、39A(Tc) 3000 pF @ 15 V 2W(Ta)、17W(Tc) 5.3ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3E150GNTB

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta)、39A(Tc) 2W(Ta)、17W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E150GNTBTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 15A(Ta)、39A(Tc) 850 pF @ 15 V 2W(Ta)、17W(Tc) 6.1ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 1mA 15.3 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3E150GNTB

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta)、39A(Tc) 2W(Ta)、17W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E150GNTBCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 15A(Ta)、39A(Tc) 850 pF @ 15 V 2W(Ta)、17W(Tc) 6.1ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 1mA 15.3 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3E150MNTB1

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E150MNTB1TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 15A(Ta) 1100 pF @ 15 V 2W(Ta) 6.7ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 1mA 20 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3E150MNTB1

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E150MNTB1CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 15A(Ta) 1100 pF @ 15 V 2W(Ta) 6.7ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 1mA 20 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3E160ADTB

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Nチャンネル 30 V 16A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E160ADTBCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 16A(Ta) 2550 pF @ 15 V 2W(Ta) 4.5ミリオーム @ 16A、10V 2.5V @ 1mA 51 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3E160ADTB

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Nチャンネル 30 V 16A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E160ADTBTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 16A(Ta) 2550 pF @ 15 V 2W(Ta) 4.5ミリオーム @ 16A、10V 2.5V @ 1mA 51 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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Nチャンネル 30 V 16A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3E160ADTB1TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 16A(Ta) 2550 pF @ 15 V 2W(Ta) 4.5ミリオーム @ 16A、10V 2.5V @ 1mA 51 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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Nチャンネル 30 V 16A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3E160ADTB1CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 16A(Ta) 2550 pF @ 15 V 2W(Ta) 4.5ミリオーム @ 16A、10V 2.5V @ 1mA 51 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、30A(Tc) 2W(Ta)、30W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E180AJTBTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.5V、4.5V 18A(Ta)、30A(Tc) 4290 pF @ 15 V 2W(Ta)、30W(Tc) 4.5ミリオーム @ 18A、4.5V 1.5V @ 11mA 39 nC @ 4.5 V ±12V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、30A(Tc) 2W(Ta)、30W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E180AJTBCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.5V、4.5V 18A(Ta)、30A(Tc) 4290 pF @ 15 V 2W(Ta)、30W(Tc) 4.5ミリオーム @ 18A、4.5V 1.5V @ 11mA 39 nC @ 4.5 V ±12V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、30A(Tc) 2W(Ta)、30W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3E180AJTB1TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.5V、4.5V 18A(Ta)、30A(Tc) 4290 pF @ 15 V 2W(Ta)、30W(Tc) 4.5ミリオーム @ 18A、4.5V 1.5V @ 11mA 39 nC @ 4.5 V ±12V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、30A(Tc) 2W(Ta)、30W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3E180AJTB1CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 2.5V、4.5V 18A(Ta)、30A(Tc) 4290 pF @ 15 V 2W(Ta)、30W(Tc) 4.5ミリオーム @ 18A、4.5V 1.5V @ 11mA 39 nC @ 4.5 V ±12V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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Nチャンネル 30 V 39A(Tc) 2W(Ta)、20W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E180BNTBCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 39A(Tc) 3500 pF @ 15 V 2W(Ta)、20W(Tc) 3.9ミリオーム @ 18A、10V 2.5V @ 1mA 37 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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Nチャンネル 30 V 39A(Tc) 2W(Ta)、20W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E180BNTBTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 39A(Tc) 3500 pF @ 15 V 2W(Ta)、20W(Tc) 3.9ミリオーム @ 18A、10V 2.5V @ 1mA 37 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、39A(Tc) 2W(Ta)、20W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3E180BNTB1TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 18A(Ta)、39A(Tc) 3500 pF @ 15 V 2W(Ta)、20W(Tc) 3.9ミリオーム @ 18A、10V 2.5V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、39A(Tc) 2W(Ta)、20W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3E180BNTB1CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 18A(Ta)、39A(Tc) 3500 pF @ 15 V 2W(Ta)、20W(Tc) 3.9ミリオーム @ 18A、10V 2.5V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、39A(Tc) 2W(Ta)、20W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E180GNTBTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 18A(Ta)、39A(Tc) 1520 pF @ 15 V 2W(Ta)、20W(Tc) 4.3ミリオーム @ 18A、10V 2.5V @ 1mA 22.4 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3E180GNTB

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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、39A(Tc) 2W(Ta)、20W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3E180GNTBCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4.5V、10V 18A(Ta)、39A(Tc) 1520 pF @ 15 V 2W(Ta)、20W(Tc) 4.3ミリオーム @ 18A、10V 2.5V @ 1mA 22.4 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3G100GNTB

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Nチャンネル 40 V 10A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3G100GNTBTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 10A(Ta) 615 pF @ 20 V 2W(Ta) 14.3ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 1mA 8.4 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3G100GNTB

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Nチャンネル 40 V 10A(Ta) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3G100GNTBCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 10A(Ta) 615 pF @ 20 V 2W(Ta) 14.3ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 1mA 8.4 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3G110ATTB

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Pチャンネル 40 V 11A(Ta)、35A(Tc) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3G110ATTBCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 11A(Ta)、35A(Tc) 2750 pF @ 20 V 2W(Ta) 12.4ミリオーム @ 11A、10V 2.5V @ 1mA 46 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3G110ATTB

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Pチャンネル 40 V 11A(Ta)、35A(Tc) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3G110ATTBTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 11A(Ta)、35A(Tc) 2750 pF @ 20 V 2W(Ta) 12.4ミリオーム @ 11A、10V 2.5V @ 1mA 46 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3G150GNTB

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Nチャンネル 40 V 39A(Tc) 20W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3G150GNTBCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 10V 39A(Tc) 1450 pF @ 20 V 20W(Tc) 7.2ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 1mA 11.6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3G150GNTB

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Nチャンネル 40 V 39A(Tc) 20W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3G150GNTBTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 10V 39A(Tc) 1450 pF @ 20 V 20W(Tc) 7.2ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 1mA 11.6 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3L050GNTB

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Nチャンネル 60 V 12A(Tc) 14.8W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3L050GNTBTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 12A(Tc) 300 pF @ 30 V 14.8W(Tc) 61ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 25µA 2.8 nC @ 4.5 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3L050GNTB

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Nチャンネル 60 V 12A(Tc) 14.8W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-RQ3L050GNTBCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 12A(Tc) 300 pF @ 30 V 14.8W(Tc) 61ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 25µA 2.8 nC @ 4.5 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3L060BGTB1

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Nチャンネル 60 V 6A(Ta)、15.5A(Tc) 2W(Ta)、14W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3L060BGTB1TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 6A(Ta)、15.5A(Tc) 310 pF @ 30 V 2W(Ta)、14W(Tc) 38ミリオーム @ 6A、10V 2.5V @ 1mA 5.5 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3L060BGTB1

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Nチャンネル 60 V 6A(Ta)、15.5A(Tc) 2W(Ta)、14W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3L060BGTB1CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 6A(Ta)、15.5A(Tc) 310 pF @ 30 V 2W(Ta)、14W(Tc) 38ミリオーム @ 6A、10V 2.5V @ 1mA 5.5 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3L070ATTB

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Pチャンネル 60 V 25A(Tc) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3L070ATTBCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 25A(Tc) 2850 pF @ 30 V 2W(Ta) 28ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 1mA 48 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3L070ATTB

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Pチャンネル 60 V 25A(Tc) 2W(Ta) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3L070ATTBTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 25A(Tc) 2850 pF @ 30 V 2W(Ta) 28ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 1mA 48 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3L070BGTB1

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Nチャンネル 60 V 7A(Ta)、20A(Tc) 2W(Ta)、15W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3L070BGTB1CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 7A(Ta)、20A(Tc) 460 pF @ 30 V 2W(Ta)、15W(Tc) 24.7ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 1mA 7.6 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RQ3L070BGTB1

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Nチャンネル 60 V 7A(Ta)、20A(Tc) 2W(Ta)、15W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RQ3L070BGTB1TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 7A(Ta)、20A(Tc) 460 pF @ 30 V 2W(Ta)、15W(Tc) 24.7ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 1mA 7.6 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)

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