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ประเภทสต็อก
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ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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RH6G040BGTB1

   

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Nチャンネル 40 V 40A(Tc) 59W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RH6G040BGTB1TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1580 pF @ 20 V 59W(Tc) 3.6ミリオーム @ 40A、10V 2.5V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RH6G040BGTB1

   

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Nチャンネル 40 V 40A(Tc) 59W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RH6G040BGTB1CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1580 pF @ 20 V 59W(Tc) 3.6ミリオーム @ 40A、10V 2.5V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RH6L040BGTB1

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 40A(Tc) 59W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RH6L040BGTB1TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1320 pF @ 30 V 59W(Tc) 7.1ミリオーム @ 40A、10V 2.5V @ 1mA 18.8 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RH6L040BGTB1

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 40A(Tc) 59W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RH6L040BGTB1CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1320 pF @ 30 V 59W(Tc) 7.1ミリオーム @ 40A、10V 2.5V @ 1mA 18.8 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RH6P040BHTB1

   

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Nチャンネル 100 V 40A(Tc) 59W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RH6P040BHTB1TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 6V、10V 40A(Tc) 1080 pF @ 50 V 59W(Tc) 15.6ミリオーム @ 40A、10V 4V @ 1mA 16.7 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RH6P040BHTB1

   

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Nチャンネル 100 V 40A(Tc) 59W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RH6P040BHTB1CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 6V、10V 40A(Tc) 1080 pF @ 50 V 59W(Tc) 15.6ミリオーム @ 40A、10V 4V @ 1mA 16.7 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RH6R025BHTB1

   

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Nチャンネル 150 V 25A(Tc) 59W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RH6R025BHTB1TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 6V、10V 25A(Tc) 1010 pF @ 75 V 59W(Tc) 60ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 1mA 16.7 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RH6R025BHTB1

   

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Nチャンネル 150 V 25A(Tc) 59W(Tc) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RH6R025BHTB1CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150 V 6V、10V 25A(Tc) 1010 pF @ 75 V 59W(Tc) 60ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 1mA 16.7 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 8-HSMT(3.2x3)
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RHK003N06FRAT146

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 300mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 SMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RHK003N06FRAT146TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4V、10V 300mA(Ta) 33 pF @ 10 V 200mW(Ta) 1オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 1mA 6 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 SMT3
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RHK003N06FRAT146

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 300mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 SMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RHK003N06FRAT146CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4V、10V 300mA(Ta) 33 pF @ 10 V 200mW(Ta) 1オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 1mA 6 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 SMT3
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RHK003N06T146

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 300mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 SMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHK003N06T146TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4V、10V 300mA(Ta) 33 pF @ 10 V 200mW(Ta) 1オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 1mA 6 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 SMT3
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RHK003N06T146

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 300mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 SMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHK003N06T146CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4V、10V 300mA(Ta) 33 pF @ 10 V 200mW(Ta) 1オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 1mA 6 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 SMT3
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RHK005N03FRAT146

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 500mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 SMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RHK005N03FRAT146TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4V、10V 500mA(Ta) 45 pF @ 10 V 200mW(Ta) 550ミリオーム @ 500mA、10V 2.5V @ 1mA ±20V 150°C(TJ) 面実装 SMT3
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RHK005N03FRAT146

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 500mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 SMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RHK005N03FRAT146CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4V、10V 500mA(Ta) 45 pF @ 10 V 200mW(Ta) 550ミリオーム @ 500mA、10V 2.5V @ 1mA ±20V 150°C(TJ) 面実装 SMT3
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RHK005N03T146

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 500mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 SMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHK005N03T146TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4V、10V 500mA(Ta) 45 pF @ 10 V 200mW(Ta) 550ミリオーム @ 500mA、10V 2.5V @ 1mA ±20V 150°C(TJ) 面実装 SMT3
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RHP020N06T100

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 2A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 MPT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHP020N06T100CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4V、10V 2A(Ta) 140 pF @ 10 V 500mW(Ta) 200ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 1mA 14 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 MPT3
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RHP020N06T100

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 2A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 MPT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHP020N06T100TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4V、10V 2A(Ta) 140 pF @ 10 V 500mW(Ta) 200ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 1mA 14 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 MPT3
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RHP030N03T100

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 3A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 MPT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHP030N03T100TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4V、10V 3A(Ta) 160 pF @ 10 V 500mW(Ta) 120ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 1mA 6.5 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 MPT3
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RHP030N03T100

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 3A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 MPT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHP030N03T100CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4V、10V 3A(Ta) 160 pF @ 10 V 500mW(Ta) 120ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 1mA 6.5 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 MPT3
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RHU002N06FRAT106

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 200mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 UMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RHU002N06FRAT106CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4V、10V 200mA(Ta) 15 pF @ 10 V 200mW(Ta) 2.4オーム @ 200mA、10V 2.5V @ 1mA 4.4 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 UMT3
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RHU002N06FRAT106

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 200mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 UMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-846-RHU002N06FRAT106TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4V、10V 200mA(Ta) 15 pF @ 10 V 200mW(Ta) 2.4オーム @ 200mA、10V 2.5V @ 1mA 4.4 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 UMT3
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RHU002N06T106

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 200mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 UMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHU002N06T106CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4V、10V 200mA(Ta) 15 pF @ 10 V 200mW(Ta) 2.4オーム @ 200mA、10V - 4.4 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 UMT3
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RHU002N06T106

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 200mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 UMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHU002N06T106TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4V、10V 200mA(Ta) 15 pF @ 10 V 200mW(Ta) 2.4オーム @ 200mA、10V - 4.4 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 UMT3
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RHU003N03FRAT106

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 300mA(Ta) 200mW 面実装 UMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHU003N03FRAT106CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4V、10V 300mA(Ta) 20 pF @ 10 V 200mW 1.2オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 1mA ±20V 150°C(TJ) 面実装 UMT3
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RHU003N03FRAT106

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 300mA(Ta) 200mW 面実装 UMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHU003N03FRAT106TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4V、10V 300mA(Ta) 20 pF @ 10 V 200mW 1.2オーム @ 300mA、10V 2.5V @ 1mA ±20V 150°C(TJ) 面実装 UMT3
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RHU003N03T106

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 300mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 UMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHU003N03T106CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4V、10V 300mA(Ta) 20 pF @ 10 V 200mW(Ta) 1.2オーム @ 300mA、10V - ±20V - 面実装 UMT3
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RHU003N03T106

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 300mA(Ta) 200mW(Ta) 面実装 UMT3
CoreStaff Part Number:zp2216-RHU003N03T106TR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 4V、10V 300mA(Ta) 20 pF @ 10 V 200mW(Ta) 1.2オーム @ 300mA、10V - ±20V - 面実装 UMT3
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RJ1G08CGNTLL

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 80A(Tc) 78W(Tc) 面実装 LPTL
CoreStaff Part Number:zp2216-RJ1G08CGNTLLTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 80A(Tc) 2410 pF @ 20 V 78W(Tc) 5.6ミリオーム @ 80A、 10V 2.5V @ 500µA 31.1 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 LPTL
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RJ1G08CGNTLL

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 80A(Tc) 78W(Tc) 面実装 LPTL
CoreStaff Part Number:zp2216-RJ1G08CGNTLLCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 80A(Tc) 2410 pF @ 20 V 78W(Tc) 5.6ミリオーム @ 80A、 10V 2.5V @ 500µA 31.1 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 LPTL
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RJ1G12BGNTLL

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 120A(Tc) 178W(Tc) 面実装 LPTL
CoreStaff Part Number:zp2216-RJ1G12BGNTLLCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 120A(Tc) 12500 pF @ 20 V 178W(Tc) 1.86ミリオーム @ 50A、10V 2.5V @ 2mA 165 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 LPTL
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RJ1G12BGNTLL

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 120A(Tc) 178W(Tc) 面実装 LPTL
CoreStaff Part Number:zp2216-RJ1G12BGNTLLTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40 V 4.5V、10V 120A(Tc) 12500 pF @ 20 V 178W(Tc) 1.86ミリオーム @ 50A、10V 2.5V @ 2mA 165 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 LPTL
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RJ1L08CGNTLL

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Nチャンネル 60 V 80A(Tc) 96W(Tc) 面実装 LPTL
CoreStaff Part Number:zp2216-RJ1L08CGNTLLCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 4.5V、10V 80A(Tc) 2600 pF @ 30 V 96W(Tc) 7.7ミリオーム @ 80A、10V 2.5V @ 50µA 55 nC @ 10 V ±20V 150°C(TJ) 面実装 LPTL

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