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ประเภทสต็อก
อันดับซัพพลายเออร์
ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
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ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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NTBG022N120M3S

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Nチャンネル 1200 V 72A(Tc) 234W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 18V 72A(Tc) 3175 pF @ 800 V 234W(Tc) 30ミリオーム @ 40A、18V 4.4V @ 20mA 142 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG022N120M3S

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Nチャンネル 1200 V 72A(Tc) 234W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 18V 72A(Tc) 3175 pF @ 800 V 234W(Tc) 30ミリオーム @ 40A、18V 4.4V @ 20mA 142 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG025N065SC1

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Nチャンネル 650 V 106A(Tc) 395W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、18V 106A(Tc) 3480 pF @ 325 V 395W(Tc) 28.5ミリオーム @ 45A、18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V、-8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG025N065SC1

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Nチャンネル 650 V 106A(Tc) 395W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、18V 106A(Tc) 3480 pF @ 325 V 395W(Tc) 28.5ミリオーム @ 45A、18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V、-8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG028N170M1

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Nチャンネル 1700 V 71A(Tc) 428W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1700 V 20V 71A(Tc) 4160 pF @ 800 V 428W(Tc) 40ミリオーム @ 60A、20V 4.3V @ 20mA 222 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG028N170M1

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Nチャンネル 1700 V 71A(Tc) 428W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1700 V 20V 71A(Tc) 4160 pF @ 800 V 428W(Tc) 40ミリオーム @ 60A、20V 4.3V @ 20mA 222 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG030N120M3S

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Nチャンネル 1200 V 77A(Tc) 348W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 18V 77A(Tc) 2430 pF @ 800 V 348W(Tc) 39ミリオーム @ 30A、18V 4.4V @ 15mA 107 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG030N120M3S

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Nチャンネル 1200 V 77A(Tc) 348W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 18V 77A(Tc) 2430 pF @ 800 V 348W(Tc) 39ミリオーム @ 30A、18V 4.4V @ 15mA 107 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG040N120M3S

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Nチャンネル 1200 V 57A(Tc) 263W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 18V 57A(Tc) 1700 pF @ 800 V 263W(Tc) 54ミリオーム @ 20A、18V 4.4V @ 10mA 75 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG040N120M3S

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Nチャンネル 1200 V 57A(Tc) 263W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 18V 57A(Tc) 1700 pF @ 800 V 263W(Tc) 54ミリオーム @ 20A、18V 4.4V @ 10mA 75 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG040N120SC1

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Nチャンネル 1200 V 60A(Tc) 357W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 60A(Tc) 1789 pF @ 800 V 357W(Tc) 56ミリオーム @ 35A、20V 4.3V @ 10mA 106 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG040N120SC1

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Nチャンネル 1200 V 60A(Tc) 357W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 60A(Tc) 1789 pF @ 800 V 357W(Tc) 56ミリオーム @ 35A、20V 4.3V @ 10mA 106 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG045N065SC1

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Nチャンネル 650 V 62A(Tc) 242W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBG045N065SC1TR-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、18V 62A(Tc) 1890 pF @ 325 V 242W(Tc) 50ミリオーム @ 25A、18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V、-8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル 650 V 62A(Tc) 242W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、18V 62A(Tc) 1890 pF @ 325 V 242W(Tc) 50ミリオーム @ 25A、18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V、-8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG060N065SC1

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Nチャンネル 650 V 46A(Tc) 170W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、18V 46A(Tc) 1473 pF @ 325 V 170W(Tc) 70ミリオーム @ 20A、10V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V +22V、-8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG060N065SC1

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Nチャンネル 650 V 46A(Tc) 170W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 650 V 15V、18V 46A(Tc) 1473 pF @ 325 V 170W(Tc) 70ミリオーム @ 20A、10V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V +22V、-8V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG060N090SC1

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Nチャンネル 900 V 5.8A(Ta)、44A(Tc) 3.6W(Ta)、211W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBG060N090SC1CT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 900 V 15V 5.8A(Ta)、44A(Tc) 1800 pF @ 450 V 3.6W(Ta)、211W(Tc) 84ミリオーム @ 20A、15V 4.3V @ 5mA 88 nC @ 15 V +19V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG060N090SC1

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Nチャンネル 900 V 5.8A(Ta)、44A(Tc) 3.6W(Ta)、211W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 900 V 15V 5.8A(Ta)、44A(Tc) 1800 pF @ 450 V 3.6W(Ta)、211W(Tc) 84ミリオーム @ 20A、15V 4.3V @ 5mA 88 nC @ 15 V +19V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG070N120M3S

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Nチャンネル 1200 V 36A(Tc) 172W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBG070N120M3SCT-ND@0

Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 18V 36A(Tc) 1230 pF @ 800 V 172W(Tc) 87ミリオーム @ 15A、18V 4.4V @ 7mA 57 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG070N120M3S

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Nチャンネル 1200 V 36A(Tc) 172W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1200 V 18V 36A(Tc) 1230 pF @ 800 V 172W(Tc) 87ミリオーム @ 15A、18V 4.4V @ 7mA 57 nC @ 18 V +22V、-10V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG080N120SC1

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Nチャンネル 1200 V 30A(Tc) 179W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBG080N120SC1TR-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 30A(Tc) 1154 pF @ 800 V 179W(Tc) 110ミリオーム @ 20A、20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG080N120SC1

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Nチャンネル 1200 V 30A(Tc) 179W(Tc) 面実装 D2PAK-7
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Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 30A(Tc) 1154 pF @ 800 V 179W(Tc) 110ミリオーム @ 20A、20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG1000N170M1

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Nチャンネル 1700 V 4.3A(Tc) 51W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBG1000N170M1CT-ND@0

Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1700 V 20V 4.3A(Tc) 150 pF @ 1000 V 51W(Tc) 1.43オーム @ 2A、20V 4.3V @ 640µA 14 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG1000N170M1

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Nチャンネル 1700 V 4.3A(Tc) 51W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBG1000N170M1TR-ND@0

Nチャンネル SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) 1700 V 20V 4.3A(Tc) 150 pF @ 1000 V 51W(Tc) 1.43オーム @ 2A、20V 4.3V @ 640µA 14 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG160N120SC1

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Nチャンネル 1200 V 19.5A(Tc) 136W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBG160N120SC1TR-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 19.5A(Tc) 678 pF @ 800 V 136W(Tc) 224ミリオーム @ 12A、20V 4.3V @ 2.5mA 33.8 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBG160N120SC1

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Nチャンネル 1200 V 19.5A(Tc) 136W(Tc) 面実装 D2PAK-7
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBG160N120SC1CT-ND@0

Nチャンネル SiCFET(炭化ケイ素) 1200 V 20V 19.5A(Tc) 678 pF @ 800 V 136W(Tc) 224ミリオーム @ 12A、20V 4.3V @ 2.5mA 33.8 nC @ 20 V +25V、-15V -55°C~175°C(TJ) 面実装 D2PAK-7
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NTBGS001N06C

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Nチャンネル 60 V 42A(Ta)、342A(Tc) 3.7W(Ta)、245W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBGS001N06CTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V、12V 42A(Ta)、342A(Tc) 11110 pF @ 30 V 3.7W(Ta)、245W(Tc) 1.1ミリオーム @ 112A、12V 4V @ 562µA 139 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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NTBGS001N06C

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Nチャンネル 60 V 42A(Ta)、342A(Tc) 3.7W(Ta)、245W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBGS001N06CCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V、12V 42A(Ta)、342A(Tc) 11110 pF @ 30 V 3.7W(Ta)、245W(Tc) 1.1ミリオーム @ 112A、12V 4V @ 562µA 139 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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NTBGS002N06C

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Nチャンネル 60 V 30A(Ta)、211A(Tc) 3.7W(Ta)、178W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBGS002N06CCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V、12V 30A(Ta)、211A(Tc) 4620 pF @ 30 V 3.7W(Ta)、178W(Tc) 2.1ミリオーム @ 45A、12V 4V @ 225µA 62.1 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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NTBGS002N06C

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Nチャンネル 60 V 30A(Ta)、211A(Tc) 3.7W(Ta)、178W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBGS002N06CTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V、12V 30A(Ta)、211A(Tc) 4620 pF @ 30 V 3.7W(Ta)、178W(Tc) 2.1ミリオーム @ 45A、12V 4V @ 225µA 62.1 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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NTBGS004N10G

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Nチャンネル 100 V 21A(Ta)、203A(Tc) 3.7W(Ta)、340W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBGS004N10GTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 21A(Ta)、203A(Tc) 12100 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、340W(Tc) 4.1ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 500µA 178 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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NTBGS004N10G

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Nチャンネル 100 V 21A(Ta)、203A(Tc) 3.7W(Ta)、340W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBGS004N10GCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100 V 10V 21A(Ta)、203A(Tc) 12100 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、340W(Tc) 4.1ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 500µA 178 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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NTBGS1D5N06C

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Nチャンネル 60 V 35A(Ta)、267A(Tc) 3.7W(Ta)、211W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBGS1D5N06CTR-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V、12V 35A(Ta)、267A(Tc) 6250 pF @ 30 V 3.7W(Ta)、211W(Tc) 1.55ミリオーム @ 64A、12V 4V @ 318µA 78.6 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)
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NTBGS1D5N06C

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Nチャンネル 60 V 35A(Ta)、267A(Tc) 3.7W(Ta)、211W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
CoreStaff Part Number:zp2216-488-NTBGS1D5N06CCT-ND@0

Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60 V 10V、12V 35A(Ta)、267A(Tc) 6250 pF @ 30 V 3.7W(Ta)、211W(Tc) 1.55ミリオーム @ 64A、12V 4V @ 318µA 78.6 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK)

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