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核友型号
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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MTB50P03HDLT4G

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 50A(Tc) 2.5W(Ta)、125W(Tc) 面実装 D2PAK
核友型号:zp2216-MTB50P03HDLT4GOSTR-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 5V 50A(Tc) 4900 pF @ 25 V 2.5W(Ta)、125W(Tc) 25ミリオーム @ 25A、5V 2V @ 250µA 100 nC @ 5 V ±15V -55°C~150°C(TJ) 面実装 D2PAK
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MTB50P03HDLT4G

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 50A(Tc) 2.5W(Ta)、125W(Tc) 面実装 D2PAK
核友型号:zp2216-MTB50P03HDLT4GOSCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30 V 5V 50A(Tc) 4900 pF @ 25 V 2.5W(Ta)、125W(Tc) 25ミリオーム @ 25A、5V 2V @ 250µA 100 nC @ 5 V ±15V -55°C~150°C(TJ) 面実装 D2PAK
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核友型号:zp2216-MTC120W55GC-SMD-ND@0

55V 150A(Tc) 6970pF @ 25V 3.1ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 6Nチャンネル(3相ブリッジ) -55°C~175°C(TJ)
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核友型号:zp2216-MTC120WX55GD-SMD-ND@0

55V 150A(Tc) 6970pF @ 25V 3.1ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 6Nチャンネル(3相ブリッジ) -55°C~175°C(TJ)
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核友型号:zp2216-MTC120WX75GD-SMD-ND@0

75V 180A(Tc) 10500pF @ 25V 3.1ミリオーム @ 100A、10V 4V @ 1mA 178nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 6Nチャンネル(3相ブリッジ) -55°C~175°C(TJ) 面実装 ISOPLUS-DIL™
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核友型号:zp2216-MTI145WX100GD-SMD-ND@0

100V 190A(Tc) 11100pF @ 50V 2.2ミリオーム @ 100A、10V 3.5V @ 275µA 155nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 6Nチャンネル(3相ブリッジ) -55°C~175°C(TJ) 面実装 ISOPLUS-DIL™
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核友型号:zp2216-MTI200WX75GD-SMD-ND@0

75V 255A(Tc) 14400pF @ 38V 1.3ミリオーム @ 100A、10V 3.8V @ 275µA 155nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 6Nチャンネル(3相ブリッジ) -55°C~175°C(TJ) 面実装 ISOPLUS-DIL™
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核友型号:zp2216-MTI85W100GC-SMD-ND@0

100V 120A(Tc) 4ミリオーム @ 80A、10V 3.5V @ 150µA 88nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 6Nチャンネル(3相ブリッジ) -55°C~175°C(TJ) 面実装 ISOPLUS-DIL™
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MTM761110LBF

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Pチャンネル 12 V 4A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 WSミニ6-F1-B
核友型号:zp2216-MTM761110LBFCT-ND@0

Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 12 V 1.8V、4.5V 4A(Ta) 1400 pF @ 10 V 700mW(Ta) 34ミリオーム @ 1A、4.5V 1V @ 1mA ±8V 150°C(TJ) 面実装 WSミニ6-F1-B

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